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HGT1S7N60B3DS / IGBT 晶体管
HGT1S7N60B3DS的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

栅极/发射极最大电压:+/- 20 V

在25 C的连续集电极电流:14 A

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:TO-263AB-3

商标:Fairchild Semiconductor

集电极最大连续电流 Ic:14 A

最小工作温度:- 55 C

安装风格:SMD/SMT

系列:HGT1S7N60

供应商HGT1S7N60B3DS
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HGT1S7N60B3DS14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO163.69 Kbytes共8页HGT1S7N60B3DS的PDF下载地址HGTP7N60B3D,HGTG12N60B3D,HGTG20N60B3D,HGTG12N60C3D,HGTG20N60C3D,HGTG20N60B3D,HGTP7N60C3D,HGTG20N60C3D,HGTP7N60C3D,HGTP3N60B3D
HGT1S7N60B3DS14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO94.32 Kbytes共7页HGT1S7N60B3DS的PDF下载地址HGTP7N60B3D,HGTG12N60B3D,HGTG20N60B3D,HGTG12N60C3D,HGTG20N60C3D,HGTG20N60B3D,HGTP7N60C3D,HGTG20N60C3D,HGTP3N60B3D,HGTP7N60C3D
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