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HGT1S12N60C3S / IGBT 模块
HGT1S12N60C3S的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:IGBT 模块

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

在25 C的连续集电极电流:24 A

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:TO-263AB

商标:Fairchild Semiconductor

栅极/发射极最大电压:+/- 20 V

最小工作温度:- 40 C

安装风格:SMD/SMT

供应商HGT1S12N60C3S
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HGT1S12N60C3S9AR4501Harris Corporation27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT$1.46000
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