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GTVA263202FC-V1-R0 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET

GTVA263202FC-V1-R0的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:17 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:7.5 A

输出功率:340 W

最大工作温度:+ 225 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:H-37248-4

封装:Reel

配置:Dual Common Source

工作频率:2620 MHz to 2690 MHz

商标:Wolfspeed / Cree

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V

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GTVA263202FC-V1-R0及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
GTVA263202FC-V1-R0	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET	Wolfspeed / Cree		414.15 Kbytes	共8页		无
GTVA263202FC-V1-R0	RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ	Cree/Wolfspeed		400.94 Kbytes	共8页		无

GTVA263202FC-V1-R0的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	GTVA263202FC-V1-R0	Cree/Wolfspeed	RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ	$166.17500
Mouser 贸泽电子	GTVA263202FC-V1-R0	Wolfspeed / Cree	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥1,866.1385

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