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GTVA262711FA-V2-R0 /GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ
GTVA262711FA-V2-R0的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装标准卷带

系列GaN

零件状态有源

晶体管类型HEMT

频率2.62GHz ~ 2.69GHz

增益18dB

电压 - 测试48V

额定电流(安培)-

噪声系数-

电流 - 测试320mA

功率 - 输出70W

电压 - 额定125V

封装/外壳H-87265J-2

供应商器件封装H-87265J-2

供应商GTVA262711FA-V2-R0
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GTVA262711FA-V2-R0Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 300 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz CREE[Cree, Inc]CREE[Cree, Inc]的LOGO464.07 Kbytes共9页GTVA262711FA-V2-R0的PDF下载地址
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