制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:22 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:13.5 A

输出功率:45 W

最大工作温度:+ 225 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:H-37265J-2

封装:Reel

配置:Single

工作频率:1805 MHz to 2170 MHz

商标:Wolfspeed / Cree

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V