GTVA261802FC-V1-R0
/180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
GTVA261802FC-V1-R0的规格信息
包装标准卷带
系列GaN
零件状态有源
晶体管类型HEMT
频率2.62GHz ~ 2.69GHz
增益16.8dB
电压 - 测试48V
额定电流（安培）-
噪声系数-
电流 - 测试160mA
功率 - 输出170W
电压 - 额定125V
封装/外壳H-37248C-4
供应商器件封装H-37248C-4
GTVA261802FC-V1-R0
GTVA261802FC-V1-R0及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| GTVA261802FC-V1-R0 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 48 V, 2620 â 2690 MHz | CREE[Cree, Inc] | ![CREE[Cree, Inc]的LOGO](/PdfSupLogo/424CREE.GIF) | 495.3 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
GTVA261802FC-V1-R0的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Digi-Key 得捷电子 | GTVA261802FC-V1-R0 | Cree/Wolfspeed | 180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH | $103.61240 |