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GTVA261802FC-V1-R0 /180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
GTVA261802FC-V1-R0的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装标准卷带

系列GaN

零件状态有源

晶体管类型HEMT

频率2.62GHz ~ 2.69GHz

增益16.8dB

电压 - 测试48V

额定电流(安培)-

噪声系数-

电流 - 测试160mA

功率 - 输出170W

电压 - 额定125V

封装/外壳H-37248C-4

供应商器件封装H-37248C-4

供应商GTVA261802FC-V1-R0
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GTVA261802FC-V1-R0Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz CREE[Cree, Inc]CREE[Cree, Inc]的LOGO495.3 Kbytes共8页GTVA261802FC-V1-R0的PDF下载地址
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