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GTVA107001EC-V1-R0 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W

GTVA107001EC-V1-R0的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:18 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流:10 A

输出功率:890 W

最大漏极/栅极电压:-

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:H-36248-2

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

工作频率:960 MHz to 1.215 GHz

商标:Wolfspeed / Cree

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V

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GTVA107001EC-V1-R0及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
GTVA107001EC-V1-R0	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 700 W, 50 V, 960 â 1215 MHz	CREE[Cree, Inc]		253.63 Kbytes	共8页		无

GTVA107001EC-V1-R0的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	GTVA107001EC-V1-R0	Cree/Wolfspeed	700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET	$850.08000
Mouser 贸泽电子	GTVA107001EC-V1-R0	Wolfspeed / Cree	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W	1:¥6,372.7254 50:¥6,372.7254

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