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FQPF9P25YDTU /MOSFET QF -250V 620MOHM TO220FYD
FQPF9P25YDTU的规格信息
FQPF9P25YDTU的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:250 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:480 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:16.07 mm

长度:10.36 mm

系列:FQPF9P25YDTU

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:4.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:4.8 S

下降时间:65 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:150 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:2.565 g

供应商FQPF9P25YDTU
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FQPF9P25YDTUFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3$0.62000
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