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FQPF8N90C /MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
FQPF8N90C的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:1.9 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:60 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:QFET

封装:Tube

高度:16.07 mm

长度:10.36 mm

系列:FQPF8N90C

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:5.5 S

下降时间:70 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:110 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:40 ns

零件号别名:FQPF8N90C_NL

单位重量:2.270 g

供应商FQPF8N90C
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深圳市佳威星科技有限公司FQPF8N90C深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市芯幂科技有限公司FQPF8N90C深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市坤融电子有限公司FQPF8N90C航都大厦10I0755-23990975
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集好芯城FQPF8N90C深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市仓实科技有限公司FQPF8N90C深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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FQPF8N90C900V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO865.81 Kbytes共10页FQPF8N90C的PDF下载地址FQA7N90,FQP2NA90,STW12NK90Z,STB3NC90Z,FQA7N90M,FQP3N90,FQP4N90C,STW6NC90Z,FQA9N90,FQP5N90
FQPF8N90C的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
FQPF8N90CFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series1+:¥13.31
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Digi-Key 得捷电子
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FQPF8N90CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6$1.07000
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FQPF8N90CON SemiconductorMOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F$1.07000
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
FQPF8N90CON Semiconductor / FairchildMOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series1:¥15.0629
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Rochester
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Verical
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立创商城
FQPF8N90CON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.3A 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.9Ω @ 3.15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W 类型:N沟道1+:¥16.3
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100+:¥13.35
500+:¥13.17
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