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FQPF8N80CYDTU /MOSFET HIGH VOLTAGE
FQPF8N80CYDTU的规格信息
FQPF8N80CYDTU的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:1.55 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:59 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FQPF8N80C

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:70 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:110 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:65 ns

典型接通延迟时间:40 ns

单位重量:2.565 g

供应商FQPF8N80CYDTU
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深圳市坤融电子有限公司FQPF8N80CYDTU航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FQPF8N80CYDTU深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FQPF8N80CYDTU深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
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芯莱德电子(香港)有限公司FQPF8N80CYDTU深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城FQPF8N80CYDTU深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市辉华拓展电子有限公司FQPF8N80CYDTU深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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深圳市高捷芯城科技有限公司FQPF8N80CYDTU深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市凯睿晟科技有限公司FQPF8N80CYDTU世纪汇都会轩45070755-82788062
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集好芯城FQPF8N80CYDTU深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辉华拓展电子有限公司FQPF8N80CYDTU深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市星宇佳科技有限公司FQPF8N80CYDTU深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市仓实科技有限公司FQPF8N80CYDTU深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FQPF8N80CYDTU深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市凌特半导体科技有限公司FQPF8N80CYDTU广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
FQPF8N80CYDTUON SemiconductorMOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3$2.35000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
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Rochester
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