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FQPF8N60CFT /MOSFET N-CH/600V/6.26 A QFET C-Series
FQPF8N60CFT的规格信息
FQPF8N60CFT的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:6.26 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:48 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FQPF8N60CF

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:8.7 S

下降时间:64.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:60.5 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:81 ns

典型接通延迟时间:16.5 ns

单位重量:2.270 g

供应商FQPF8N60CFT
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深圳市芯幂科技有限公司FQPF8N60CFT深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQPF8N60CFT深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司FQPF8N60CFT深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司FQPF8N60CFT深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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FQPF8N60CFT600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO755.01 Kbytes共8页FQPF8N60CFT的PDF下载地址FCP4N60,FQB8N60CF,FCD7N60,STB10NK60Z,STW45NM60,STB11NM60FD,STW26NM60,FCP16N60,UK2996
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