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FQPF9N90CT /MOSFET 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
FQPF9N90CT的规格信息
FQPF9N90CT的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:900 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:1.4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:68 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FQPF9N90C

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:75 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:120 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:50 ns

单位重量:2.270 g

供应商FQPF9N90CT
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深圳市威雅利发展有限公司FQPF9N90CT华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司FQPF9N90CT深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市坤融电子有限公司FQPF9N90CT航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
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深圳市高捷芯城科技有限公司FQPF9N90CT深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市高捷半导体有限公司FQPF9N90CT深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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FQPF9N90CTN-Channel QFET MOSFET 900 V, 8.0 A, 1.4 Ohm FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO1127.42 Kbytes共10页FQPF9N90CT的PDF下载地址
FQPF9N90CT的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
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Digi-Key 得捷电子
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FQPF9N90CTON SemiconductorMOSFET N-CH 900V 8A TO220F$3.15000
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element14 e络盟电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
FQPF9N90CTON Semiconductor / FairchildMOSFET 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series1:¥23.4362
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Verical
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FQPF9N90CTON(安森美)MOS(场效应管)1+:¥18.28
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