FIR7N65FG
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):145W 类型:N沟道
FIR7N65FG的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)145W
类型N沟道
FIR7N65FG
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FIR7N65FG | Advanced N-Ch Power MOSFET-I | FOSTER[Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.] | ![FOSTER[Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.]的LOGO](/PdfSupLogo/1219FOSTER.GIF) | 2824.86 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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 立创商城 | FIR7N65FG | FIRST(福斯特) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):145W 类型:N沟道 | 1+:¥1.779 10+:¥1.3292 30+:¥1.2466 100+:¥1.164 500+:¥1.1272 1000+:¥1.1091
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