FIR2N65ALG
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tj) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W(Tj) 类型：N沟道
FIR2N65ALG的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）2A(Tj)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）44W(Tj)
类型N沟道
FIR2N65ALG
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| FIR2N65ALG | 650V N-Channel MOSFET -I | FOSTER[Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.] | ![FOSTER[Shenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.]的LOGO](/PdfSupLogo/1219FOSTER.GIF) | 2985.94 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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立创商城 | FIR2N65ALG | FIRST(福斯特) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tj) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W(Tj) 类型：N沟道 | 1+:￥0.819
10+:￥0.5991
30+:￥0.5587
100+:￥0.5183
500+:￥0.5003
1000+:￥0.4915
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