FIR4N60BPG
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250A 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 类型：N沟道
FIR4N60BPG的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250A
漏源导通电阻2.4Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）77W(Tc)
类型N沟道
FIR4N60BPG
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10+:￥0.7707
30+:￥0.7248
100+:￥0.6789
500+:￥0.6585
1000+:￥0.6485
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