FIR12N65FG
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W 类型：N沟道
FIR12N65FG的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻800mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）51W
类型N沟道
FIR12N65FG
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立创商城 | FIR12N65FG | FIRST(福斯特) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：51W 类型：N沟道 | 1+:￥3.45
10+:￥2.69
30+:￥2.56
100+:￥2.42
500+:￥2.36
1000+:￥2.32
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