FIR4N60FG
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W(Tc) 类型:N沟道
FIR4N60FG的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.4Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)33W(Tc)
类型N沟道
FIR4N60FG
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FIR4N60FG | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W(Tc) 类型:N沟道 | FIRST(福斯特) |  | 2.77 Mbytes | 共6页 |  | 无 |
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