制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:900 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:89 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FDU6N50

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:55 ns

工厂包装数量:5040

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:6 ns

单位重量:343.080 mg