图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
Id-连续漏极电流:54 A
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Rds On-漏源导通电阻: 1000 12 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :16 V
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:57 W
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:IPAK-3
封装:Tube
商标:Fairchild Semiconductor
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:10 ns
正向跨导 - 最小值:54 S
最小工作温度:- 55 C
上升时间:5 ns
系列:FDU6692
工厂包装数量:1800
典型关闭延迟时间:35 ns
典型接通延迟时间:9 ns
单位重量:4 g