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FDT86106LZ /MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDT86106LZ的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:3.2 A

Rds On-漏源导通电阻:108 mOhms

Qg-栅极电荷:4.3 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.2 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.8 mm

长度:6.5 mm

系列:FDT86106LZ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:8 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

单位重量:112 mg

供应商FDT86106LZ
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDT86106LZwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDT86106LZ深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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FDT86106LZN-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 3.2 A, 108 m Ohm FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO360.14 Kbytes共6页FDT86106LZ的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
FDT86106LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET4000+:¥3.46
8000+:¥3.28
12000+:¥3.17
28000+:¥3.06
100000+:¥2.971+:¥6.9
10+:¥5.3301
100+:¥4.24
500+:¥3.87
1000+:¥3.66
4000+:¥3.36
24000+:¥3.17
48000+:¥3.14000+:¥3.3650+:¥7.59
500+:¥6.25
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FDT86106LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET4000+:¥3.46
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Digi-Key 得捷电子
FDT86106LZON SemiconductorN-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100$0.48000
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Digi-Key 得捷电子
FDT86106LZON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4$1.23000
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Mouser 贸泽电子
FDT86106LZON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
4,000:¥3.4804
8,000:查看
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Mouser 贸泽电子
FDT86106LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET4000+:¥3.46
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RS(欧时)
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Verical
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