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FDT86102LZ /MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDT86102LZ的规格信息
FDT86102LZ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:6.6 A

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms

Qg-栅极电荷:17 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.2 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.8 mm

长度:6.5 mm

系列:FDT86102LZ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:26 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

单位重量:112 mg

供应商FDT86102LZ
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FDT86102LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET4000+:¥4.91
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