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FDT86113LZ /MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDT86113LZ的规格信息
FDT86113LZ的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:3.3 A

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:4.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.2 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.8 mm

长度:6.5 mm

系列:FDT86113LZ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:8 S

下降时间:1.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.3 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:3.8 ns

单位重量:112 mg

供应商FDT86113LZ
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深圳市威雅利发展有限公司FDT86113LZ华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司FDT86113LZwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市微碧半导体有限公司FDT86113LZ-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市宇浩扬科技有限公司FDT86113LZ深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
集好芯城FDT86113LZ深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司FDT86113LZ深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市坤融电子有限公司FDT86113LZ航都大厦10I0755-23990975
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15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
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深圳市安富世纪电子有限公司FDT86113LZ深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市赛美科科技有限公司FDT86113LZ广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司FDT86113LZ龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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FDT86113LZ的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FDT86113LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET4000+:￥2.11
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FDT86113LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET4000+:￥2.11
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDT86113LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET4000+:￥2.11
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FDT86113LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET4000+:￥2.11
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDT86113LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET4000+:￥2.11
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDT86113LZON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
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元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FDT86113LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET4000+:￥2.11
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FDT86113LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET4000+:￥2.11
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立创商城		FDT86113LZVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:￥1.6235
10+:￥1.1996
30+:￥1.1218
100+:￥0.9396
500+:￥0.90846
1000+:￥0.89307
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FDT86113LZON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：N沟道1+:￥2.61
10+:￥1.97
30+:￥1.85
100+:￥1.73
500+:￥1.68
1000+:￥1.65
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