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FDT457N /MOSFET SOT-223 N-CH 30V
FDT457N的规格信息
FDT457N的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.8 mm

长度:6.5 mm

系列:FDT457N

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:3.5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:5 S

下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:FDT457N_NL

单位重量:112 mg

供应商FDT457N
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDT457Nwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDT457N深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司FDT457N深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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芯莱德电子(香港)有限公司FDT457N深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市大源实业科技有限公司FDT457N深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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FDT457NN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO94.5 Kbytes共4页FDT457N的PDF下载地址FDP7030L,MTD3055V,NDP4060L,NDP6060,NDS8425,SI3442DV,CEG6946,CEM8410A,CEM9925,CEP6030LS2
FDT457NN-Channel MOSFET KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]的LOGO176.49 Kbytes共4页FDT457N的PDF下载地址
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FDT457NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 N-CH 30V1+:¥3.88
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1000+:¥1.5199
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24000+:¥1.3301
48000+:¥1.34000+:¥2.8
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40000+:¥1.645+:¥5.02
25+:¥1.79
50+:¥1.76
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1000+:¥1.50011+:¥1.4
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FDT457NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 N-CH 30V1+:¥3.88
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Digi-Key 得捷电子
FDT457NON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4$0.95000
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element14 e络盟电子
FDT457NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 N-CH 30V1+:¥3.88
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Mouser 贸泽电子
FDT457NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 N-CH 30V1+:¥3.88
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Mouser 贸泽电子
FDT457NON Semiconductor / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V1:¥6.5314
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元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
FDT457NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 N-CH 30V1+:¥3.88
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FDT457NON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道1+:¥5.98
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500+:¥3.7
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