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FDT439N /MOSFET SOT-223 N-CH 30V
FDT439N的规格信息
FDT439N的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:6.3 A

Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.8 mm

长度:6.5 mm

系列:FDT439N

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:3.5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:17 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:6 ns

零件号别名:FDT439N_NL

单位重量:112 mg

供应商FDT439N
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深圳市威雅利发展有限公司FDT439N华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDT439Nwww.nowchip.com0755-27381274
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18948794636
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深圳市宇浩扬科技有限公司FDT439N深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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FDT439NN-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO289.55 Kbytes共8页FDT439N的PDF下载地址FDP4020P,UPA1870,UPA1800,UPA1900,FDC653N,NDC651N,NDP508A,NDP7050L,NDS351AN,NDS9925A
FDT439NN-Channel 30 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1013.95 Kbytes共8页FDT439N的PDF下载地址
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FDT439NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 N-CH 30V4000+:¥2.1
8000+:¥1.95
12000+:¥1.87
28000+:¥1.81
100000+:¥1.731+:¥4.58
10+:¥3.56
100+:¥2.3
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48000+:¥1.83991+:¥2.034000+:¥1.881+:¥1.92
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FDT439NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 N-CH 30V4000+:¥2.1
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100000+:¥1.731+:¥4.58
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Digi-Key 得捷电子
FDT439NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 N-CH 30V4000+:¥2.1
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28000+:¥1.81
100000+:¥1.73
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
FDT439NON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4$0.77000
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element14 e络盟电子
FDT439NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 N-CH 30V4000+:¥2.1
8000+:¥1.95
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24000+:¥1.87
48000+:¥1.83991+:¥2.03
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Mouser 贸泽电子
FDT439NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 N-CH 30V4000+:¥2.1
8000+:¥1.95
12000+:¥1.87
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24000+:¥1.87
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Mouser 贸泽电子
FDT439NON Semiconductor / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V1:¥5.3788
10:¥4.4296
100:¥2.8589
1,000:¥2.2939
4,000:¥1.9323
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
FDT439NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 N-CH 30V4000+:¥2.1
8000+:¥1.95
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25+:¥4.94
50+:¥4.9
100+:¥4.85
300+:¥4.76
500+:¥4.71
1000+:¥4.6701
5000+:¥4.65
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
FDT439NFairchild SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET SOT-223 N-CH 30V4000+:¥2.1
8000+:¥1.95
12000+:¥1.87
28000+:¥1.81
100000+:¥1.731+:¥4.58
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24000+:¥1.87
48000+:¥1.83991+:¥2.034000+:¥1.881+:¥1.921+:¥1.73
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立创商城
FDT439NON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.3A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 6.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道1+:¥4.85
10+:¥3.58
30+:¥3.34
100+:¥3.11
500+:¥3.01
1000+:¥2.95
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立创商城
FDT439NVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥1.3514
10+:¥0.9986
30+:¥0.9338
100+:¥0.869
500+:¥0.8402
1000+:¥0.826