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FDS8935 /MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS8935的规格信息
FDS8935的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:2.1 A

Rds On-漏源导通电阻:183 mOhms

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Dual

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:FDS8935

晶体管类型:2 P-Channel

宽度:3.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:6.4 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

单位重量:187 mg

供应商FDS8935
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FDS8935的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FDS8935Fairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.08
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FDS8935Fairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.08
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDS8935Fairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.08
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FDS8935Fairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.08
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Mouser 贸泽电子		FDS8935ON Semiconductor / FairchildMOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET1:¥10.0683
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1,000:¥4.6104
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元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FDS8935Fairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.08
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Verical		FDS8935Fairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.08
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FDS8935ON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：183mΩ @ 2.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：双P沟道1+:￥9.83
10+:￥9.57
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