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FDS86267P /MOSFET PT5 150V/20V Pch PowerTrench Mosfet
FDS86267P的规格信息
FDS86267P的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:2.2 A

Rds On-漏源导通电阻:255 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:FDS86267P

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:6.8 S

下降时间:5.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2.5 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17 ns

典型接通延迟时间:9.7 ns

单位重量:130 mg

供应商FDS86267P
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDS86267Pwww.nowchip.com0755-27381274
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FDS86267PON Semiconductor / FairchildMOSFET PT5 150V/20V Pch PowerTrench Mosfet1:¥10.7576
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