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FDS86242 /MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS86242的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:56.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:4.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:5 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:FDS86242

晶体管类型:1 N-Channel

类型:N-Channel Power Trench MOSFET

宽度:3.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:11 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23 ns

典型接通延迟时间:16 ns

单位重量:130 mg

供应商FDS86242
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深圳市威雅利发展有限公司FDS86242华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDS86242www.nowchip.com0755-27381274
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”13725596657“17503034873
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FDS86242Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:¥4.48
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FDS86242ON SemiconductorMOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC$0.96000
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FDS86242ON Semiconductor / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET1:¥6.6105
10:¥5.4805
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1,000:¥2.825
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Rochester
FDS86242Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:¥4.48
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FDS86242VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥3.5
10+:¥2.58
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立创商城
FDS86242ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:67mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥3.9
10+:¥2.85
30+:¥2.66
100+:¥2.4206
500+:¥2.3324
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