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FDS8690 /MOSFET 30V 14A 7.6 OHM NCH POWER
FDS8690的规格信息
FDS8690的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:14 A

Rds On-漏源导通电阻:6.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:FDS8690

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:3.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.8 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:130 mg

供应商FDS8690
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深圳市佳威星科技有限公司FDS8690深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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FDS8690N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 14A, 7.6mOhm FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO349.28 Kbytes共6页FDS8690的PDF下载地址FDS6672A,FDS7788,FDP8896,FDS6676,FDD6696,FDS7296N3,FDZ7296,FDD6644,FDS6678A,SI6928DQ
FDS8690的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
FDS8690Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 14A 7.6 OHM NCH POWER1+:¥7.05
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Digi-Key 得捷电子
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FDS8690ON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC$1.74000
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element14 e络盟电子
FDS8690Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 14A 7.6 OHM NCH POWER1+:¥7.05
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
FDS8690ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 14A 7.6 OHM NCH POWER1:¥9.2999
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Rochester
FDS8690Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 14A 7.6 OHM NCH POWER1+:¥7.05
10+:¥6.26
25+:¥5.65
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FDS8690ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:7.6mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥2.144
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