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FDS8884 /MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET
FDS8884的规格信息
FDS8884的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:8.5 A

Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:FDS8884

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:21 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42 ns

典型接通延迟时间:5 ns

单位重量:130 mg

供应商FDS8884
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDS8884www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDS8884深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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FDS8884N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8.5A, 23mOhm FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO309.73 Kbytes共6页FDS8884的PDF下载地址FDS8984,FDS7064A,FDD6296,FDS7098N3,FDS9412A,FDR6674A,FDS7066N3,FDS7766S,FDFS6N754,FDR6678A
FDS8884的全球分销商及价格
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FDS8884Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET2500+:¥1.49
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FDS8884ON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC$0.64000
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Mouser 贸泽电子
FDS8884ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET1:¥4.5313
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Rochester
FDS8884Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET2500+:¥1.49
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FDS8884ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥2.05
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