标准包装：2,500
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：PowerTrench®
包装：带卷（TR）
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.1A，3.4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 4.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：6.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：282pF @ 10V
功率 - 最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N