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FDD86250 /MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD86250的规格信息
FDD86250的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:31 mOhms

Qg-栅极电荷:23 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:132 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

系列:FDD86250

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:28 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

单位重量:260.370 mg

供应商FDD86250
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13202105858		蔡升航Email:745217619@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDD86250深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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FDD86250的全球分销商及价格
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDD86250ON SemiconductorMOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK$2.13000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDD86250Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.91
5000+:￥4.72
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDD86250-F085ON SemiconductorMOSFET N-CH 150V 50A TO252$1.79000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FDD86250Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.91
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		FDD86250Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.91
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDD86250Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.91
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDD86250ON Semiconductor / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.3506
2,500:¥6.3506
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDD86250-F085ON SemiconductorMOSFET NMOS DPAK 150V 22 MOHM1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.571
500:¥6.6896
2,500:¥4.6895
10,000:查看
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FDD86250Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.91
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立创商城		FDD86250ON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：51A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：132W 类型：N沟道1+:￥15.99
10+:￥13.71
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立创商城		FDD86250-F085ON(安森美)MOS(场效应管)1+:￥12.54
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