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FDD86102LZ /MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD86102LZ的规格信息
FDD86102LZ的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:42 A

Rds On-漏源导通电阻:31 mOhms

Qg-栅极电荷:18 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:54 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

系列:FDD86102LZ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:31 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

单位重量:260.370 mg

供应商FDD86102LZ
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现代芯城（深圳）科技有限公司FDD86102LZwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDD86102LZ深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
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FDD86102LZ的全球分销商及价格
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FDD86102LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.28
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10+:￥6.55
100+:￥5.23
500+:￥4.78
1000+:￥4.5199
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDD86102LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.28
5000+:￥4.07
12500+:￥3.91
25000+:￥3.79
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FDD86102LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.28
5000+:￥4.07
12500+:￥3.91
25000+:￥3.79
62500+:￥3.661+:￥8.45
10+:￥6.55
100+:￥5.23
500+:￥4.78
1000+:￥4.5199
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10+:￥8.3699
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		FDD86102LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.28
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10+:￥6.55
100+:￥5.23
500+:￥4.78
1000+:￥4.5199
2500+:￥4.15
10000+:￥4.04
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50000+:￥3.99011+:￥9.49
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDD86102LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.28
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10000+:￥4.04
25000+:￥3.95
50000+:￥3.9901
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDD86102LZON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET1:¥7.8422
10:¥6.7348
100:¥5.1754
500:¥4.5765
1,000:¥3.616
2,500:¥3.616
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FDD86102LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.28
5000+:￥4.07
12500+:￥3.91
25000+:￥3.79
62500+:￥3.661+:￥8.45
10+:￥6.55
100+:￥5.23
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10000+:￥4.04
25000+:￥3.95
50000+:￥3.99011+:￥9.49
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立创商城		FDD86102LZON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：22.5mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道1+:￥3.29
10+:￥3.2
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FDD86102LZVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:￥3.63
10+:￥2.68
30+:￥2.51
100+:￥2.33
500+:￥2.25
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