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FDD86102 /MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
FDD86102的规格信息
FDD86102的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:13.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 125 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

系列:FDD86102

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:21 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

单位重量:260.370 mg

供应商FDD86102
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18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司FDD86102www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司FDD86102深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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集好芯城FDD86102深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市宇浩扬科技有限公司FDD86102深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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FDD86102的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		FDD86102ON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK$1.70000
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Future(富昌)		FDD86102Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET1+:￥11.0499
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Future(富昌)		FDD86102LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.28
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Mouser 贸泽电子		FDD86102Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench1+:￥11.0499
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Mouser 贸泽电子		FDD86102ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
1,000:¥4.8364
2,500:¥4.8364
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Mouser 贸泽电子		FDD86102LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.28
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10+:￥6.55
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1000+:￥4.5199
2500+:￥4.15
10000+:￥4.04
25000+:￥3.95
50000+:￥3.9901
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDD86102LZON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET1:¥7.8422
10:¥6.7348
100:¥5.1754
500:¥4.5765
1,000:¥3.616
2,500:¥3.616
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FDD86102Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench1+:￥11.0499
10+:￥9.75
25+:￥8.8
100+:￥7.7
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500+:￥5.99
1000+:￥4.731+:￥8.45
10+:￥6.55
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2500+:￥4.15
10000+:￥4.04
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FDD86102Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench1+:￥11.0499
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Verical		FDD86102LZFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET2500+:￥4.28
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立创商城		FDD86102ON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：24mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道1+:￥4.12
10+:￥3.02
30+:￥2.82
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立创商城		FDD86102LZON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：22.5mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道1+:￥3.29
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立创商城		FDD86102LZVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:￥3.63
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500+:￥2.25
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