FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9A，6.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1000pF @ 20V
功率 - 最大值：1.3W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
供应商器件封装：TO-252-4L
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs