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FDD8447L_F085 /Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8447L_F085, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
FDD8447L_F085的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:50 A

最大漏源电压:40 V

最大漏源电阻值:14 m0hms

最小栅阈值电压:1V

最大栅源电压:-20 V、+20 V

封装类型:DPAK (TO-252)

安装类型:表面贴装

晶体管配置:

引脚数目:3

通道模式:增强

类别:功率 MOSFET

最大功率耗散:65 W

长度:6.73mm

每片芯片元件数目:1

尺寸:6.73 x 6.22 x 2.39mm

宽度:6.22mm

系列:PowerTrench

晶体管材料:Si

典型栅极电荷@Vgs:37 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds:1970 pF @ 20 V

典型关断延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:12 ns

最低工作温度:-55 °C

高度:2.39mm

最高工作温度:+175 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商FDD8447L_F085
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FDD8447L_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 50A N-Channel PowerTrench2500+:¥2.61
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FDD8447L-F085ON SemiconductorMOSFET N-CH 40V 50A DPAK$0.42000
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Mouser 贸泽电子
FDD8447L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 50A N-Channel PowerTrench1:¥7.1416
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