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FDD6N50TM_WS /N-Channel 500 V 0.9 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet TO-252-3
FDD6N50TM_WS的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

系列：UniFET™

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：16.6nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：9400pF @ 25V

Vgs（最大值）：±30V

功率耗散（最大值）：89W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：900 毫欧 @ 3A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：DPAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：500V

连续漏极电流ID：6A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商FDD6N50TM_WS
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FDD6N50TM-WSMOSFET N-CH 500V 6A DPAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO1.13 Mbytes共10页FDD6N50TM-WS的PDF下载地址无
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ChipOneStop		FDD6N50TM_WSFairchild SemiconductorFET - 单 UniFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V 6A N-Channel2500+:￥2.98
5000+:￥2.8401
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDD6N50TM-WSON SemiconductorMOSFET N-CH 500V 6A DPAK$1.11000
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Future(富昌)		FDD6N50TM_WSFairchild SemiconductorFET - 单 UniFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V 6A N-Channel2500+:￥2.98
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDD6N50TM-WSON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V 6A N-Channel1:¥8.0682
10:¥6.8817
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1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FDD6N50TM_WSFairchild SemiconductorFET - 单 UniFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V 6A N-Channel2500+:￥2.98
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立创商城		FDD6N50TM-WSON(安森美)预售新品1+:￥7.16
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