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FDD6N50FTM /MOSFET 500V N-Channel
FDD6N50FTM的规格信息
FDD6N50FTM的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:5.5 A

Rds On-漏源导通电阻:1.15 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:89 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

系列:FDD6N50F

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:20.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:28.3 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:33.4 ns

典型接通延迟时间:17 ns

单位重量:260.370 mg

供应商FDD6N50FTM
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FDD6N50FTMN-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15Ω FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO354.03 Kbytes共9页FDD6N50FTM的PDF下载地址FQP10N50CF,UF730,FDA16N50_07,FDA20N50_07,STW26NM50,FDH45N50F_0605,FQP13N50CF,IRF840B_05,STP9NK50Z_04,UF840
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FDD6N50FTM的全球分销商及价格
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