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FDD6680S /MOSFET 30V N-Ch PowerTrenc
FDD6680S的规格信息
FDD6680S的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:55 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:60 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:14 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:10 ns

系列:FDD6680

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:34 ns

典型接通延迟时间:10 ns

供应商FDD6680S
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