FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16.4A（Ta），30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：24nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1235pF @ 13V

功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），32.6W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.6 毫欧 @ 16.4A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D-PAK（TO-252）

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs