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FDD6676S /30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6676S的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压30 V

闸/源击穿电压+/- 16 V

漏极连续电流78 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)0.006 Ohms

配置Single

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体TO-252AA

封装Reel

下降时间34 ns

正向跨导 gFS(最大值/最小值)79 S

最小工作温度- 55 C

功率耗散70 W

上升时间13 ns

工厂包装数量2500

典型关闭延迟时间86 ns

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FDD6676S30V N-Channel PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO121.33 Kbytes共6页FDD6676S的PDF下载地址FDR6674A,FDS7066N3,FDS7766S,FDS9412A,FDR6678A,FDS7066N7,FDS6294,FDS8670,FDFS6N754,FDS4488
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