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FDB150N10 /MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
FDB150N10的规格信息
FDB150N10的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:57 A

Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FDB150N10

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:83 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:164 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:86 ns

典型接通延迟时间:47 ns

单位重量:1.312 g

供应商FDB150N10
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深圳市百视威讯电子科技有限公司FDB150N10华强广场C座18J0755-27381274
18098996457		董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
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深圳市辰芯伟业科技有限公司FDB150N10华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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FDB150N10N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 57A, 15mΩ FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO526.37 Kbytes共8页FDB150N10的PDF下载地址FDM3622_07,FDS3992_04,FDPF3860T,FDB047N10,FDC637BNZ,STN2NF10_07,STB80NF10,IRF540_03,FDP038AN06A0_05,FDMS8692
FDB150N10的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FDB150N10Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench1+:￥21.82
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDB150N10ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench1:¥20.9728
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元器件资料网-立创商城的LOGO
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