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FDB120N10 /MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench
FDB120N10的规格信息
FDB120N10的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:74 A

Rds On-漏源导通电阻:9.7 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:170 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FDB120N10

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Power Trench MOSFET

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:105 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:105 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:39 ns

典型接通延迟时间:27 ns

单位重量:1.312 g

供应商FDB120N10
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深圳市辉华拓展电子有限公司FDB120N10深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
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13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
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13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司FDB120N10华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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FDB120N10及相关型号的PDF资料
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FDB120N10N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 74A, 12mΩ FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO508.34 Kbytes共8页FDB120N10的PDF下载地址无
FDB120N10的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FDB120N10Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench800+:￥10.55
1600+:￥9.68
2400+:￥9.0101
5600+:￥8.68
20000+:￥8.3501
40000+:￥8.21
80000+:￥8.01011+:￥16.48
10+:￥13.25
100+:￥10.6
500+:￥10.6
800+:￥9.8601
2400+:￥8.96
9600+:￥8.58
24800+:￥8.5201
49600+:￥8.44800+:￥9
1600+:￥8.491+:￥9.49
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FDB120N10Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench800+:￥10.55
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500+:￥10.6
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2400+:￥8.96
9600+:￥8.58
24800+:￥8.5201
49600+:￥8.44800+:￥9
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDB120N10Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench800+:￥10.55
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDB120N10Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench800+:￥10.55
1600+:￥9.68
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5600+:￥8.68
20000+:￥8.3501
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80000+:￥8.01011+:￥16.48
10+:￥13.25
100+:￥10.6
500+:￥10.6
800+:￥9.8601
2400+:￥8.96
9600+:￥8.58
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDB120N10ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
500:¥13.5261
800:¥13.5261
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FDB120N10Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench800+:￥10.55
1600+:￥9.68
2400+:￥9.0101
5600+:￥8.68
20000+:￥8.3501
40000+:￥8.21
80000+:￥8.01011+:￥16.48
10+:￥13.25
100+:￥10.6
500+:￥10.6
800+:￥9.8601
2400+:￥8.96
9600+:￥8.58
24800+:￥8.5201
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1600+:￥8.491+:￥9.491+:￥8.811+:￥8.25
25+:￥8.19
50+:￥8.11
100+:￥8.0299
300+:￥7.88
500+:￥7.8
1000+:￥7.74
5000+:￥7.7
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FDB120N10Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench800+:￥10.55
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100+:￥10.6
500+:￥10.6
800+:￥9.8601
2400+:￥8.96
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24800+:￥8.5201
49600+:￥8.44800+:￥9
1600+:￥8.491+:￥9.491+:￥8.81
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FDB120N10ON(安森美)MOS(场效应管)1+:￥21.12
200+:￥8.18
500+:￥7.89
1000+:￥7.75
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