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FDB13AN06A0 /MOSFET N-Channel PowerTrench
FDB13AN06A0的规格信息
FDB13AN06A0的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:62 A

Rds On-漏源导通电阻:11.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:115 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FDB13AN06A0

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:26 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:96 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:44 ns

典型接通延迟时间:9 ns

零件号别名:FDB13AN06A0_NL

单位重量:1.312 g

供应商FDB13AN06A0
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深圳市百视威讯电子科技有限公司FDB13AN06A0华强广场C座18J0755-27381274
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董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDB13AN06A0深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司FDB13AN06A0www.nowchip.com0755-27381274
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FDB13AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO300.08 Kbytes共11页FDB13AN06A0的PDF下载地址SI4450DY,FDD107AN06LA0,FDN5630,FDP038AN06A0,FDP5645,FDB035AN06A0,FDB10AN06A0,FDP14AN06LA0,FDP070AN06A0
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Arrow(艾睿)
FDB13AN06A0Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel PowerTrench1+:¥13.6
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ChipOneStop
FDB13AN06A0Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel PowerTrench1+:¥13.6
10+:¥12.26
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
FDB13AN06A0ON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK$2.09000
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element14 e络盟电子
FDB13AN06A0Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel PowerTrench1+:¥13.6
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Mouser 贸泽电子
FDB13AN06A0ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench1:¥14.5205
10:¥12.3735
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Mouser 贸泽电子
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24800+:¥5.47
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RS(欧时)
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400+:¥9.5201
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Verical
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