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FDB110N15A /MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB110N15A的规格信息
FDB110N15A的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:92 A

Rds On-漏源导通电阻:9.25 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:47 nC

Pd-功率耗散:234 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FDB110N15A

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:118 S

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:26 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

单位重量:1.312 g

供应商FDB110N15A
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FDB110N15A的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FDB110N15AFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET1+:￥23.06
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDB110N15AFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET1+:￥23.06
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDB110N15AON SemiconductorMOSFET N-CH 150V 92A D2PAK$4.02000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDB110N15AFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET1+:￥23.06
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FDB110N15AFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET1+:￥23.06
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