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FDB12N50TM /MOSFET 500V N-CH MOSFET
FDB12N50TM的规格信息
FDB12N50TM的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:11.5 A

Rds On-漏源导通电阻:550 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:165 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FDB12N50TM

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:60 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:25 ns

单位重量:1.312 g

供应商FDB12N50TM
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深圳市安富世纪电子有限公司FDB12N50TM深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDB12N50TM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司FDB12N50TM航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司FDB12N50TM深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司FDB12N50TM深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳诚思涵科技有限公司FDB12N50TM深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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万三科技(深圳)有限公司FDB12N50TM深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司FDB12N50TM深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司FDB12N50TM深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市域立航科技有限公司FDB12N50TM深圳市福田区华强北路1002号赛格广场41楼4108A (本公司可开13%增值税票)0755-82576356,83233239
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FDB12N50TMN-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65Ω FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO366.6 Kbytes共9页FDB12N50TM的PDF下载地址FQB9N50CF,STD5N20L,FQP10N50CF,FDM6296_07,FDA16N50_07,FDA20N50_07,STW26NM50,FDH45N50F_0605,FQP13N50CF,IRF840B_05
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FDB12N50TM的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
FDB12N50TMFairchild SemiconductorFET - 单 UniFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V N-CH MOSFET800+:¥5.71
1600+:¥5.1601
2400+:¥4.81
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10+:¥7.42
100+:¥5.91
500+:¥5.3699
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FDB12N50TMFairchild SemiconductorFET - 单 UniFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V N-CH MOSFET800+:¥5.71
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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10+:¥7.42
100+:¥5.91
500+:¥5.3699
800+:¥5.09
2400+:¥4.6701
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
FDB12N50TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-CH MOSFET1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
800:¥7.7631
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
FDB12N50TMFairchild SemiconductorFET - 单 UniFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V N-CH MOSFET800+:¥5.71
1600+:¥5.1601
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5600+:¥4.57
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40000+:¥4.26
80000+:¥4.121+:¥9.61
10+:¥7.42
100+:¥5.91
500+:¥5.3699
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2400+:¥4.6701
9600+:¥4.55
24800+:¥4.46
49600+:¥4.48800+:¥4.68
1600+:¥4.431+:¥4.661+:¥7.651+:¥6.13
25+:¥6.07
50+:¥6.02
100+:¥5.97
300+:¥5.8599
500+:¥5.8
1000+:¥5.74
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Verical
FDB12N50TMFairchild SemiconductorFET - 单 UniFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 500V N-CH MOSFET800+:¥5.71
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1600+:¥4.431+:¥4.661+:¥7.65
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
FDB12N50TMON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):165W 类型:N沟道1+:¥6.454
10+:¥4.788
30+:¥4.48
100+:¥4.172
500+:¥4.032
1000+:¥3.969