系列：汽车级，AEC-Q101

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：708pF @ 30V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：1.2W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 2.2A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

封装形式Package：SOT-223

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：3A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs