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DMP6110SVTQ-7 /MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
DMP6110SVTQ-7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOT-26-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:7.3 A

Rds On-漏源导通电阻:105 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:17.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMP6110

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:42 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:23 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:34 ns

典型接通延迟时间:4.4 ns

单位重量:13 mg

供应商DMP6110SVTQ-7
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DMP6110SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V1:¥5.0737
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