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DMP6050SFG-13 /MOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W
DMP6050SFG-13的规格信息
DMP6050SFG-13的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerDI3333-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:4.8 A

Rds On-漏源导通电阻:36 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:24 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMP6050

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:25.3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:46.7 ns

典型接通延迟时间:4.3 ns

供应商DMP6050SFG-13
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DMP6050SFG-13MOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8WDiodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO535.4 Kbytes共6页DMP6050SFG-13的PDF下载地址
DMP6050SFG-13MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO551.63 Kbytes共6页DMP6050SFG-13的PDF下载地址
DMP6050SFG-13连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:P沟道DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO551.63 Kbytes共6页DMP6050SFG-13的PDF下载地址
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DMP6050SFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
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DMP6050SFG-13DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.1W 类型:P沟道1+:¥2.06
10+:¥1.53
30+:¥1.44
100+:¥1.34
500+:¥1.3
1000+:¥1.28