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DMP6110SVT-7 /MOSFET 60V P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
DMP6110SVT-7的规格信息
DMP6110SVT-7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOT-26-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:7.3 A

Rds On-漏源导通电阻:105 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:17.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMP6110

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:42 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:23 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:34 ns

典型接通延迟时间:4.4 ns

单位重量:13 mg

供应商DMP6110SVT-7
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深圳市斌腾达科技有限公司DMP6110SVT-7深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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DMP6110SVT-7MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO327.35 Kbytes共7页DMP6110SVT-7的PDF下载地址
DMP6110SVT-7连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:105mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:P沟道DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO327.35 Kbytes共7页DMP6110SVT-7的PDF下载地址
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DMP6110SVT-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26$0.63000
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Mouser 贸泽电子
DMP6110SVT-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
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DMP6110SVT-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:105mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:P沟道1+:¥1.822
10+:¥1.3775
30+:¥1.2958
100+:¥1.2142
500+:¥1.1779
1000+:¥1.1599