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DMP6110SSS-13 /MOSFET 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC
DMP6110SSS-13的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:98 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:9.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMP6110

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:26.1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.3 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:58.7 ns

典型接通延迟时间:3.7 ns

单位重量:74 mg

供应商DMP6110SSS-13
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DMP6110SSS-13连续漏极电流(Id)(25°C 时):- 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO280.67 Kbytes共6页DMP6110SSS-13的PDF下载地址
DMP6110SSS-13的全球分销商及价格
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DMP6110SSS-13Diodes Inc.2500+:¥1.3499
5000+:¥1.27
12500+:¥1.1799
25000+:¥1.12
62500+:¥1.09
125000+:¥1.04
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Digi-Key 得捷电子
DMP6110SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 60V 8SOIC$0.58000
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DMP6110SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
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Mouser 贸泽电子
DMP6110SSS-13Diodes Inc.2500+:¥1.3499
5000+:¥1.27
12500+:¥1.1799
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62500+:¥1.09
125000+:¥1.041+:¥3.36
10+:¥2.5001
100+:¥1.57
1000+:¥1.39
2500+:¥1.29
10000+:¥1.19
25000+:¥1.15
50000+:¥1.13
100000+:¥1.1
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DMP6110SSS-13DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):- 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道1+:¥1.6072
10+:¥1.1923
30+:¥1.116
100+:¥1.0398
500+:¥1.006
1000+:¥0.9892